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INVSc1 Chemically Competent Cell100μl/支￥ 1800.00100 個(gè)
INVSc1 Competent Cell: 100μl/支 保存： -80℃（3個(gè)月）
pYES2 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存：-80℃（12個(gè)月）
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存：-20℃（12個(gè)月）
PEG/LiAC: 5ml 保存： 4℃（12個(gè)月）
基因型
MATa his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52/MATα his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52
產(chǎn)品說(shuō)明
INVSc1菌株是專門用來(lái)做重組蛋白表達(dá)的宿主酵母，pYES2質(zhì)粒與INVSc1酵母配套使用，激活pYES2質(zhì)粒的GAL1啟動(dòng)子的轉(zhuǎn)錄進(jìn)而啟動(dòng)下游重組蛋白的表達(dá)。INVSc1為合子型，可直接通過(guò)PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進(jìn)入INVSc1細(xì)胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標(biāo)志為URA，可用SD-URA板進(jìn)行篩選。INVSc1感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作，-80℃可保存三個(gè)月，pYES2質(zhì)粒檢測(cè)轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA
操作方法
1. 取100 µl冰上融化的INVSc1感受態(tài)細(xì)胞，依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5 µg，Carrier DNA (95-100℃，5 min，快速冰浴，重復(fù)一次) 10 µl，PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻，30℃水浴30 min (15 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
2. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 5000 rpm離心 40 s棄上清，ddH2O 400 µl 重懸，離心 30s棄上清。
4. ddH2O 50 µl重懸，涂質(zhì)粒篩選用：SD-U medium板，29℃培養(yǎng)48-96 h。
注意事項(xiàng)
1. 感受態(tài)細(xì)胞在冰上融化。
2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少終用于涂板的菌量。
3. INVSc1酵母菌株對(duì)高溫敏感，適生長(zhǎng)溫度為27-30℃；高于31℃，生長(zhǎng)速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
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3、由于客戶沒(méi)有仔細(xì)確認(rèn)要訂購(gòu)的指標(biāo)，導(dǎo)致自己的指標(biāo)定錯(cuò)。
4、產(chǎn)品已使用（質(zhì)量問(wèn)題除外）。
文獻(xiàn)名稱
