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hESC/iPSC細胞培養(yǎng)試劑盒

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一、產(chǎn)品簡介

hESC/iPSC 細胞培養(yǎng)基試劑盒是廈門逸漠生物科技有限公司研發(fā)技術(shù)團隊開發(fā)的一種適用于無飼養(yǎng)層培養(yǎng),成分明確,補充多種生長因子的人多能干細胞(hPSC)無血清培養(yǎng)體系。hESC/iPSC 在 hESC/iPSC 細胞培養(yǎng)基中可以快速增殖,而邊緣分化的細胞則在該培養(yǎng)基中生長較慢,從而選擇性擴增并獲得高純度人多能干細胞。

二、產(chǎn)品信息

表 1: hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基 試劑盒產(chǎn)品內(nèi)容

產(chǎn)品信息   規(guī)格 儲存條件
hESC/iPSC 細胞培養(yǎng)基試劑盒   1 Kit 2℃~-20℃
hESC/iPSC Basal Medium   400mL 2℃~8℃

hESC/iPSC Grouth SupplementsA

  20mL -20℃ or -80℃

hESC/iPSC Grouth Supplements B

  80mL -20℃ or -80℃
hESC/iPSC Supplement C   1mg -20℃ or -80℃

表 2: hESC/iPSC 其他相關(guān)試劑 產(chǎn)品內(nèi)容

產(chǎn)品信息   規(guī)格 儲存條件
hESC/iPSC Passage Solution   500 mL 2℃~8℃
hESC/iPSC Cryopreservation Solution   50mL 2℃~8℃
hESC/iPSC Planking Solution Supplement   1.2mL -20℃ or -80℃
hESC/iPSC Planking Solution Basal Medium   90mL 2℃~8℃

三、試劑材料

表 3:其他試劑&材料

試劑&材料    
DMEM/F12 培養(yǎng)基    
6/12/24 孔板 -- --

1 mL/5 mL/10 mL/25 mL 移液管

-- --

15 mL/50 mL 離心管

-- --
1.5/2 mL 凍存管 -- --
梯度程序降溫盒 -- --

四、 試劑準備

1 )hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基配制(500 mL )

1. 在 4℃條件下解凍 hESC/iPSC Grouth SupplementsA/B,勿在 37℃培養(yǎng)箱/水浴鍋解凍。

2.  在生物安全柜中,使用無菌移液管將 hESC/iPSC Grouth Supplements A/B 與 hESC/iPSC Basal Medium 混勻配制成 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,之后根據(jù)使用情況將培養(yǎng)基分 裝,封口膜封好,確保置于 4℃儲存的培養(yǎng)基 2 周內(nèi)使用完畢,其余培養(yǎng)基于-20℃冷凍保 存,需要時提前于 4℃過夜解凍。

2 )Matrigel 鋪板(以  Corning® Matrigel® 包被 6 孔板為例 )

A. 分裝 Matrigel

1. Matrigel,操作說明中不標注蛋白濃度,而是以 Dilution Factor 表示,如某批次的推薦 Dilution Factor 為 278 μL,則表明 278 μL 可包被 4 塊 6 孔板,分裝數(shù)量=5 mL/0.278=17.98。

2. 準備 18 個無菌 1.5 mL EP 管,標記 Matrigel 日期、操作人;1mL 無菌吸頭;EP 管架,均置于-20℃冰箱中預(yù)冷 1 小時。

3. 將 Matrigel 放置 4℃冰箱過夜解凍,當 Matrigel 完全解凍即可開始分裝。

注:在解凍時,將 Matrigel 放置冰箱內(nèi)側(cè)角落,切勿放在靠近冰箱門附近。

4. 準備一個裝滿碎冰的冰盒,將解凍過的 Matrigel、預(yù)冷的 1.5 mL EP 管及 EP 管架、1mL吸頭放置于生物安全柜上。

5. 混勻 Matrigel,無菌分裝于各個 1.5 mL EP 管中,并置于冰上。當吸頭被堵塞可能導致分裝體積不準時需要更換吸頭。

6. 將分裝后的 Matrigel 置于-20℃冰箱中保存。

B. 鋪板

1. 取 36 mL 冷藏 DMEM/F12 于 50 mL 離心管中,準備 4 個 6 孔板,標記 Matrigel、批號、日期和操作人。

2.1 mL 無菌吸頭置于-20℃冰箱中預(yù)冷 1 小時,取出一支冷凍的 Matrigel(5mL)置于 4℃冰箱解凍至完全化凍。

3. 準備一個裝滿碎冰的冰盒,將解凍過的 Matrigel、預(yù)冷的 1mL 吸頭放置于生物安全柜上。

4. 用預(yù)冷的吸頭向解凍過的 Matrigel(5mL),加入 1 mL 冷的 DMEM/F12 反復(fù)吹打解凍并混勻。

5. 吸出已解凍混勻的 Matrigel 加入離心管中剩余的 DMEM/F12,使用 10 mL 移液管再次反復(fù)吹打混勻。

6. 分裝 1.5 mL/孔于 4 個六孔板中,輕輕搖晃混勻。

7. 培養(yǎng)板置于室溫 1 小時后即可使用,或置于 4℃冷藏過夜,兩周內(nèi)使用。

五 、 復(fù)蘇 hESC/iPSC (以 6 孔板為例)

1. 將水浴鍋預(yù)熱至 37℃。將 Matrigel 包被的 6 孔板,提前放置生物安全柜中約 1 小時恢復(fù)至室溫(15~30℃)。

2. 取 2 mL hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,加入 4uL hESC/iPSC Supplement C 使終濃度為 10uM,取 9mL DMEM/F12,加入 18uL hESC/iPSC Supplement C 使終濃度為 10uM,恢復(fù)至室溫。。

注意:不要在 37℃水浴鍋中預(yù)溫培養(yǎng)基。

3. 取出 1 支冷凍的細胞置于 37℃水浴鍋手持輕輕搖晃,2 min 內(nèi)解凍,肉眼觀察細胞懸液內(nèi)冰晶即將完全消失時取出。

4. 75%酒精無塵紙擦拭凍存管表面,轉(zhuǎn)入生物安全柜;將細胞懸液移到事先準備好的 15 mL離心管中,隨后逐滴加入 9mL DMEM/F12,過程中輕柔晃動混勻細胞,160 g 離心 5 min。

5. 吸除 6 孔板中 1 孔的 Matrigel 包被液,加入 2mL 含有 hESC/iPSC Supplement C 的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基。 

6. 離心完吸棄上清,至留下 50uL 左右的上清,輕彈管底 3-4 下至細胞混勻在上清中, 逐滴緩慢加入 1mL 含有 hESC/iPSC Supplement C 的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,輕彈管底 3-4 下 混勻細胞,將這 1mL 細胞懸空滴加進 6 孔板的含有 hESC/iPSC Supplement C 的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基中。 

7. 水平十字搖勻三次,置于 37℃,5% CO2濃度,飽和濕度的培養(yǎng)箱中,再次水平十字 搖勻三次培養(yǎng)。 

注:水平十字搖勻 3 次,左右兩次+上下兩次算一次。 

8. 18-24 小時后換新的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,之后每天更換培養(yǎng)基。

表 4: hESC/iPSC 傳代&培養(yǎng)操作試劑推薦用量

培養(yǎng)容器 底面積 DPBS(mL) EDTA 傳代工作液 hPSC 培養(yǎng)基*
6 孔板 9.6 cm2/孔 1mL/孔 1 mL/孔 1 mL/孔
12 孔板 4.5 cm2/孔 0.5mL/孔 0.5mL/孔 0.5 mL/孔
24 孔板 2 cm2/孔 0.3mL/孔 0.3 mL/孔 0.5 mL/孔

 

六 、傳代 hESC/iPSC (以 6 孔板為例)

image.png

圖 1.hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基連續(xù)培養(yǎng) hESC 細胞形態(tài)圖:(A)和(C)分別 為 hESC 細胞培養(yǎng)第 和 天時低倍鏡 hESC 培養(yǎng)形態(tài)圖示,(B)和()為培養(yǎng)至第 和 天時的高倍鏡hESC 培養(yǎng)形態(tài)圖。

1. 傳代條件:① 細胞匯合度達 85%左右(如圖 1(C-D)所示),一般情況下每 3-4 天傳代;

② 細胞匯合度較低,生長密度分布不均勻。

注:即使克隆團較小、匯合度不足,也建議不要連續(xù)培養(yǎng)超過 5 天。

2. 傳代比例:可根據(jù)細胞生長狀態(tài)和實驗需要按 1:5~1:12 的比例進行傳代,如果細胞正常,克隆團匯合度 85%,大小均勻(如圖 1(C-D)所示),建議按照 1:8 進行傳代,如果密度偏低,則可降低傳代比例;密度偏高,則增加傳代比例。

注:1:8 傳代就是 1 個孔瓶傳 8 個孔(以 6 孔板為例)。

3. 將 Matrigel 包被的 6 孔板,提前放置生物安全柜中約 1 小時恢復(fù)至室溫(~25℃)。

4. 根據(jù)傳代接種的孔數(shù)準備 2 mL/孔的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,加入hESC/iPSC Supplement C 終濃度為 10uM,恢復(fù)至室溫(~25℃)。

5. 將細胞六孔板孔內(nèi)培養(yǎng)基吸棄,加入 1 mL/孔的 DPBS(不含鈣鎂),輕輕搖晃后吸棄。

6. 加入 1 mL/孔的 hESC/iPSC Passage Solution 使溶液完全覆蓋孔底。 

7. 置于 37℃培養(yǎng)箱中孵育 5-7 min。 

注:① 消化 5-6 min 后鏡下觀察細胞變化,當大部分細胞變亮變圓,且細胞尚未脫離基 質(zhì),若大部分細胞仍未變亮,則需要延長消化時間,不超過 8min; 

② 保持 6 孔板與培養(yǎng)箱金屬隔板直接接觸,使 6 孔板受熱均勻,不要疊放。

image.png

:消化 hESC 細胞不同時間形態(tài)圖:(A)消化 6 min 低倍鏡 hESC 培養(yǎng)的的形態(tài)圖;B)消化 min低倍鏡 hESC 培養(yǎng)的的形態(tài)圖。

8.消化時吸取 6 孔板中的 Matrigel 溶液,加入預(yù)溫的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基+ hESC/iPSC  Supplement C 2 mL/孔。 

9.消化結(jié)束后輕輕地將細胞培養(yǎng)板拿回生物安全柜,避免震蕩搖晃細胞,傾斜并吸除 hESC/iPSC Passage Solution。及時加入 1 mL/孔預(yù)溫的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基+ hESC/iPSC  Supplement C,將細胞吹下來。 

注:① 加 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基 + hESC/iPSC Supplement C 時,可輕柔吹打細胞不能 超過 2 次,避免反復(fù)吹打;有部分細胞(10%~15%)未脫離基質(zhì)是正,F(xiàn)象,若有大量細 胞未脫離則需延長消化時間(< 8min)。 

10.把這一毫升細胞懸液懸空滴加入板里的培養(yǎng)基,每孔 3-5 滴。在 6 孔板上標記細胞名 稱、代次、傳代比例、日期、操作人,水平十字搖勻 3 次。 

注:可將傳完代后的細胞在鏡下觀察細胞密度,根據(jù)密度調(diào)整是否需要多加細胞滴。 

11.置于 37℃,5% CO2 濃度,飽和濕度的培養(yǎng)箱中,再次水平十字搖勻 3 次,不要疊 放。

12. 18-24 小時后換新的 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基,此后每天換液,第 4 天繼續(xù)傳代/凍存。

注:傳代后隔天算第 1 天。

七、凍存 hESC/iPSC

1. 當細胞匯合度達 85%左右(如圖 1(C-D)所示)可收獲凍存,一般 6 孔板每孔可凍存 1 管。

2. 準備相應(yīng)數(shù)量的 1.5/2 mL 凍存管,標記細胞名稱、代次(P#)、日期、操作人。

3. 取出 4℃冰箱中的 hESC/iPSC Cryopreservation Solution,置于室溫預(yù)溫,使用前注意搖勻。

4. 吸取上清液,加入 2 mL/孔的 DPBS(不含鈣鎂),輕輕搖晃數(shù)次,再吸取。

5. 加入1 mL/孔的 hESC/iPSC Passage Solution,將細胞置于 37℃培養(yǎng)箱中,計時 8-9 min(可參考“ 六、傳代 hESC/iPSC”步驟)。

6. 消化結(jié)束,輕輕取出培養(yǎng)板,吸取 hESC/iPSC Passage Solution。

7. 搖勻預(yù)溫的 hESC/iPSC Cryopreservation Solution,每孔加入 1 mL 凍存液,輕柔吹打,水平十字搖勻 3 次,隨后吸取細胞懸液加入 1.5/2 mL 凍存管中。

8. 將細胞置于梯度程序降溫盒中,并置-80℃冰箱中過夜,次日轉(zhuǎn)入液氮罐中長期保存。

八、其他培養(yǎng)體系中 hESC/iPSC 更換為 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基條件的適應(yīng)

其他無飼養(yǎng)層條件培養(yǎng)的 hESC/iPSC 可以在細胞狀態(tài)良好時,使用原培養(yǎng)基進行細胞傳代,24 小時后更換成混合培養(yǎng)基(原培養(yǎng)基與 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基按照 1:1 混合)培養(yǎng),培養(yǎng) 2 代后完全換成 hESC/iPSC 完全培養(yǎng)基培養(yǎng),培養(yǎng) 2-3 代后可完全適應(yīng)新的培養(yǎng)體系,此時可進行細胞凍存處理。

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